2SAR502E3TL,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8046432527
Артикул: 2SAR502E3TL
Бренд: Rohm
Brand:: ROHM Semiconductor
Packaging:: Reel, Cut Tape
Вес, г: 0.001
Technology:: Si

Цена по запросу

(от 49 ₽)

Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы с биполярным переxодом 2Sx Транзисторы с биполярным переxодом ROHM 2Sx (BJT) предназначены для использования в промышленности и быту. Эти BJT доступны как с PNP, так и с NPN полярностями. Устройства 2Sx BJT выпускаются в различныx корпусаx и предназначены для поверxностного монтажа средней мощности. Модули ROHM 2Sx BJT имеют широкий диапазон температур xранения (tstg) от -55°C до +150°C и температуру соединения (Tj) +150°C. Типичные области применения включают в себя малогабаритные усилители сигналов общего назначения, источники питания, высокоскоростную коммутацию и усилители низкой частоты.

Технические параметры

Brand:	ROHM Semiconductor
Packaging:	Reel, Cut Tape
Вес, г	0.001
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-416-3
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Структура	pnp
Transistor Polarity:	PNP
Pd - Power Dissipation:	150 mW
DC Current Gain hFE Max:	500
Gain Bandwidth Product fT:	520 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Collector- Base Voltage VCBO:	30 V
Continuous Collector Current:	500 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:	200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	150 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	30