2SA2153-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368320
- Артикул
- 2SA2153-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- 2SA2153
- Packaging
- Cut Tape
Цена по запросу
(от 52,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | 2SA2153 |
| Packaging | Cut Tape |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | 2SA2153 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PCP-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
| DC Current Gain hFE Max | 560 at-100 mA at-2 V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 420 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | PCP-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 at-100 mA at-2 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.2 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at - 100 mA at - 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at - 100 mA at - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 420 MHz |