Моя заявка (0)

2SA2092TLQ, 1uA 60V 500mW 120@100mA,2V 1A 300MHz 200mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) TSMT-3 Bipolar Transistors - BJT

2SA2092TLQ, 1uA 60V 500mW 120@100mA,2V 1A 300MHz 200mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) TSMT-3 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015761042
Артикул
2SA2092TLQ
Бренд
Rohm
Brand
ROHM Semiconductor
Series
2SA2092
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.04
Цена по запросу
(от 19,83 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 1A 3PIN

Технические параметры

BrandROHM Semiconductor
Series2SA2092
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.04
Серия2SA2092
SubcategoryTransistors
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeBJTs - Bipolar Transistors
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTSMT-3
Product CategoryBipolar Transistors - BJT
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation500 mW
DC Current Gain HFE Max270
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product FT300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO- 6 V
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTSMT-3
Collector- Base Voltage VCBO- 60 V
Continuous Collector Current- 1 A
Maximum DC Collector Current- 2 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max- 60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Saturation Voltage- 200 mV
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.270
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация