Моя заявка (0)

2SA2061(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=3000 PD=1W F=1MHZ

2SA2061(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=3000 PD=1W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008531031
Артикул
2SA2061(TE85L,F)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.01
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Toshiba
Цена по запросу
(от 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.01
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:2-3S1C-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:625 mW
DC Current Gain hFE Max:500
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:20 V
Continuous Collector Current:-2.5 A
Maximum DC Collector Current:2.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.1 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц1

Техническая документация