2SA2058(TE85L,F), 100nA 10V 500mW 200@200mA,2V 1.5A 190mV@600mA,20mA PNP +150°C@(Tj) - BIpolar TransIstors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017603552
- Артикул
- 2SA2058(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
- Operating Temperature
- -
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
10 В 500 МВт при 200 мА, 2 В 1,5 А PNP - Биполярные транзисторы - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transition Frequency (fT) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@200mA, 2V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 10V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 190mV@600mA, 20mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |