Моя заявка (0)

2SA2056(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; MOQ=3000; PC=1W; F=100KHZ

2SA2056(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; MOQ=3000; PC=1W; F=100KHZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005629391
Артикул
2SA2056(TE85L,F)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:2-3S1C-3
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)2A
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)625mW
Pd - Power Dissipation:625 mW
DC Current Gain hFE Max:500
Transition Frequency (fT)-
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@300mA, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:-2 A
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:200
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@1A, 33mA

Техническая документация