2SA2039-TL-E, TO-252-2 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017637571
- Артикул
- 2SA2039-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50V
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.6 |
| Серия | 2SA2039 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Package Type | TP-FA |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 5.5 |
| Package Height | 2.3 |
| Package Length | 6.5 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | DPAK |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200@500mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Base Current (A) | 1.2 |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Maximum Operating Frequency | 360 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum DC Collector Current | -5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 360(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 1000 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@2A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.43@100mA@2A|0.195@50mA@1A |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A, 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V, 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 255 mV, 160 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz, 400 MHz |