Моя заявка (0)

2SA1971(TE12L,F),Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Surface Mount

2SA1971(TE12L,F),Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050716006
Артикул
2SA1971(TE12L,F)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
2.747
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Toshiba
Цена по запросу
(от 270 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г2.747
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:2-5K1A-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:1000
DC Current Gain hFE Max:450
Gain Bandwidth Product fT:35 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:400 V
Continuous Collector Current:-500 mA
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:140
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV

Техническая документация