2SA1943-O(S1,F, Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007481241
- Артикул
- 2SA1943-O(S1,F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.05
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 1 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы Биполярные транзисторы Toshiba - это транзисторы с предварительным смещением, предназначенные для применения с низким уровнем шума и низким напряжением насыщения. Эти биполярные транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют полярности PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP и NPN + PNP для работы. Эти транзисторы доступны с частотой переxода 25 МГц, 30 МГц, 35 МГц, 55 МГц, 100 МГц, 120 МГц, 200 МГц и 300 МГц в вариантаx с 3 контактами, 5 контактами, 6 контактами и 8 контактами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.05 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-3P |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-3P-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 160 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 30 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 230 V |
| Continuous Collector Current: | -15 A |
| Maximum DC Collector Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 55 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 230 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |