2SA1832-Y,LF(T, 100nA 50V 100mW 70@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA PNP +125°C@(Tj) SC-75(SOT-523) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070083580
- Артикул
- 2SA1832-Y,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.03
- No. of Pins
- 3Pins
- Transistor Type
- PNP
- Power Dissipation
- 120mW
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы PNP SC-75 (SOT-523) мощностью 50 В 100 МВт при 70 В 2 мА, 6 В 150 мА - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 120mW |
| Структура | pnp |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transition Frequency | 80MHz |
| Operating Temperature | - |
| Transistor Case Style | SOT-416 |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Power Dissipation (Pd) | 100mW |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
| Continuous Collector Current | 150mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 70@2mA, 6V |
| Collector Emitter Voltage Max | 50V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |