Моя заявка (0)

2SA1832-GR,LF, 50V 100mW 200@2mA,6V 150mA PNP SC-75(SOT-416) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

2SA1832-GR,LF, 50V 100mW 200@2mA,6V 150mA PNP SC-75(SOT-416) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033500010
Артикул
2SA1832-GR,LF
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.03
Серия
2SA1832
Структура
pnp
Технология
Si
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Технические параметры

Вес, г0.03
Серия2SA1832
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокSOT-426-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности100 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Максимальная рабочая температура+ 125 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора150 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400 at - 2 mA, - 6 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70 at - 2 mA, - 6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)80 MHz

Техническая документация