2SA1705S-AN, Trans GP BJT PNP 50V 1A 900mW 3-Pin NMP T/R
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001346493
- Артикул
- 2SA1705S-AN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Category
- Bipolar Power
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 2488 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 50V 1A 900 МВт 3-контактный NMP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.5 |
| Package Length | 6.9 |
| Supplier Package | NMP |
| Minimum DC Current Gain | 140@100mA@2V|30@1A@2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 900 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@50mA@500mA|0.5@50mA@500mA |