Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010710596
Артикул
2SA1689E-AA
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
PNP
Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 997 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT PNP 300 В 0,05 А 600 МВт 3-контактный NP

Технические параметры

PPAPNo
TypePNP
CategoryBipolar Small Signal
MaterialSi
MountingThrough Hole
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusObsolete
ConfigurationSingle
Package Width4
Package Length5
Supplier PackageNP
Standard Package NameTO
Minimum DC Current Gain100@1mA@6V
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)600
Maximum Base-Emitter Voltage (V)5
Maximum DC Collector Current (A)0.05
Maximum Collector-Base Voltage (V)300
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)300
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V)1@1mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1@1mA@10mA

Техническая документация