2SA1587-BL,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006238212
- Артикул
- 2SA1587-BL,LF
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- Unknown
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100 МВт Автомобильный AEC-Q101 3-контактный USM T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | USM |
| Minimum DC Current Gain | 350@2mA@6V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 120 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 120 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@1mA@10mA |