2SA1419S-TD-E, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041465226
- Артикул
- 2SA1419S-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.2
- Серия
- 2SA1419
- Структура
- pnp
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160V
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Серия | 2SA1419 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |