2SA1418S-TD-E, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056812283
- Артикул
- 2SA1418S-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SOT89
- Mounting
- SMD
- Frequency
- 120MHz
- Вес, г
- 0.13
Цена по запросу
(от 141,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.7A 160V
Технические параметры
| Case | SOT89 |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 120MHz |
| Вес, г | 0.13 |
| Серия | 2SA1418 |
| Current gain | 140…280 |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | bipolar |
| Kind of package | reel, tape |
| Collector current | 0.7A |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 160V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A, 0.7 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V, 0.12 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |