2SA1416T-TD-E, Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -100V, -1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE =200 - 400
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005525885
- Артикул
- 2SA1416T-TD-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Серия
- 2SA1416
- Package Type
- PCP
Цена по запросу
(от 75,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 100V
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | 2SA1416 |
| Package Type | PCP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 140, 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Maximum Operating Frequency | 120 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | PCP-3 |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |