Моя заявка (0)

2SA1362-GR,LF(T, Транзистор биполярный BJT 100 нА 15 В 200мВт 120 при 100 мА, 1 В 800 мА 120 МГц 200 мВ при 400 мА, 8 мА PNP +150°C @(Tj) TO

2SA1362-GR,LF(T, Транзистор биполярный BJT 100 нА 15 В 200мВт 120 при 100 мА, 1 В 800 мА 120 МГц 200 мВ при 400 мА, 8 мА PNP +150°C @(Tj) TO

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017613059
Артикул
2SA1362-GR,LF(T
Бренд
Toshiba
Pin Count
3
Вес, г
0.1
Package Type
SOT-346(SC-59)
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.1
Package TypeSOT-346(SC-59)
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
Collector Current (Ic)800mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Minimum DC Current Gain120
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation200 mW
Transition Frequency (fT)120MHz
Number of Elements per Chip1
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@100mA, 1V
Maximum DC Collector Current-800 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-15 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Maximum Collector Emitter Voltage-15 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)15V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@400mA, 8mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц120

Техническая документация