Моя заявка (0)

2SA1257-5-TB-E, Trans RF BJT PNP 160V 0.08A 200mW 3-Pin Case CP Tape

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002346305
Артикул
2SA1257-5-TB-E
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
PNP
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 2280 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans RF BJT PNP 160V 0.08A 200 МВт 3-контактный корпус CP Tape

Технические параметры

PPAPNo
TypePNP
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusObsolete
ConfigurationSingle
Package Width1.5 mm
Package Length2.9 mm
Supplier PackageCase CP
Структураpnp
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain135@10mA@5V
Maximum Output Power (W)100
Maximum Turn-On Time (ns)150(Typ)
Number of Elements per Chip1
Minimum DC Current Gain Range120 to 200
Maximum Power Dissipation (mW)200
Typical Output Capacitance (pF)2.4
Maximum Base-Emitter Voltage (V)5
Maximum DC Collector Current (A)0.08
Maximum Collector-Base Voltage (V)180
Maximum Transition Frequency (MHz)130(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)125
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)160
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum DC Collector Current Range (A)0.06 to 0.12
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)100 to 200
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7@3mA@30mA

Техническая документация