2SA1162-Y,LF(B, Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002346323
- Артикул
- 2SA1162-Y,LF(B
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- Unknown
- Type
- PNP
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 3100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200 МВт Автомобильный AEC-Q101 3-контактный S-Mini T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Type | PNP |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Корпус | SOT-346 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.5 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package Length | 2.9 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | S-Mini |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | 125В°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Minimum DC Current Gain | 120@2mA@6V |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA(ICBO) |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.15 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@10mA@100mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |