2SA1162-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006402073
- Артикул
- 2SA1162-Y,LF
- Бренд
- Toshiba
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Power - Max
- 150 mW
- Package Type
- SOT-346(SC-59)
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный (BJT) транзистор PNP 50 В 150 мА 80 МГц 150 МВт для поверxностного монтажа S-Mini
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Power - Max | 150 mW |
| Package Type | SOT-346(SC-59) |
| Корпус | TO-236MOD |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | 125°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Minimum DC Current Gain | 70 |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Maximum Operating Frequency | 80 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | -150 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 120 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |