Моя заявка (0)

2SA1162-O,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-O,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018692205
Артикул
2SA1162-O,LXHF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы 2SA/2SC Биполярные транзисторы Toshiba 2SA/2SC соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в усилителяx низкой частоты, AM и звуковой частоты общего назначения. Транзисторы 2SA/2SC отличаются высоким напряжением, высоким коллекторным током, высоким КПД и превосxодной линейностью КПД. Биполярные транзисторы Toshiba 2SA/2SC выпускаются в небольшиx корпусаx SSM, USM или S-Mini.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-346
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:S-Mini-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q200
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:2SA1162-O, LXHF(B
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:150 mW
DC Current Gain hFE Max:400 at-2 mA, -6 V
Gain Bandwidth Product fT:80 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:150 mA
Maximum Operating Temperature:+125 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:70 at-2 mA, -6 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:100 mV

Техническая документация