2SA1162-O,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073195818
- Артикул
- 2SA1162-O,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- 2SA1162
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | 2SA1162 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-236MOD-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |