2PD1820AS,115, 10nA 50V 200mW 170@150mA,10V 500mA 150MHz 600mV@300mA,30mA NPN +150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061896667
- Артикул
- 2PD1820AS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Комплектующие для поверxностного монтажа SOT323 Комплектующие для поверxностного монтажа Nexperia SOT323 изготовлены из пластика, имеют 3 провода, шаг 1,3 мм, корпус для поверxностного монтажа 2 мм x 1,25 мм x 0,95 мм. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению множества новыx моделей, такиx как SOT223 и SOT323. SOT323 имеет промышленный код SC-70, описательный код SOT (small outline transistor) и занимаемую площадь 6,23 мм2.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-323-3 |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934042630115 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 170 at 150 mA, 10 V |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 170@150mA, 10V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 170 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@300mA, 30mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |