Моя заявка (0)

2PB710ARL,215, 50V 240@150mA,10V 250mW 500mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS

2PB710ARL,215, 50V 240@150mA,10V 250mW 500mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048229322
Артикул
2PB710ARL,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 4,86 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.04
Длина3 mm
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Структураpnp
Base Product Number2PB710 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition120MHz
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Current - Collector Cutoff (Max)10nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 150mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №2PB710ARL T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.40 at 0.5 A at 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz

Техническая документация