Моя заявка (0)

2PA1576S,115, 100nA 50V 200mW 270@1mA,6V 150mA 100MHz 500mV@50mA,5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

2PA1576S,115, 100nA 50V 200mW 270@1mA,6V 150mA 100MHz 500mV@50mA,5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070144072
Артикул
2PA1576S,115
Бренд
Nexperia B.V.
Brand
Nexperia
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.03
Длина
2.2 mm
Цена по запросу
(от 12,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Технические параметры

BrandNexperia
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.03
Длина2.2 mm
SubcategoryTransistors
ManufacturerNexperia
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
ConfigurationSingle
QualificationAEC-Q101
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-323-3
Part # Aliases2PA1576S T/R
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation200 mW
DC Current Gain HFE Max270 at 1 mA, 6 V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product FT100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Collector- Base Voltage VCBO60 V
Maximum DC Collector Current0.15 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min270 at 1 mA, 6 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №2PA1576S T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.270 at 1 mA at 6 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270 at 1 mA at 6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация