Моя заявка (0)

2N7008-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 500мА, TO92, Канал обогащенный

2N7008-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 500мА, TO92, Канал обогащенный

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062346818
Артикул
2N7008-G
Бренд
Microchip Technology
Type
Power MOSFET
Width
4.06mm
Mounting
Through Hole
Polarity
N
Цена по запросу
(от 103 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V 7.5Ohm

Технические параметры

TypePower MOSFET
Width4.06mm
MountingThrough Hole
PolarityN
PackagingBag
Pin Count3
Вес, г0.22
Длина5.21 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-92
Rad HardenedNo
Высота5.33 mm
Ширина4.19 mm
Mounting TypeThrough Hole
ПродуктMOSFET Small Signal
УпаковкаBulk
Power Dissipation1(W)
Number of Elements1
Transistor MaterialSi
Drain-Source On-Volt60(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.5V
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаMOSFET
Continuous Drain Current0.23(A)
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Gate-Source Voltage (Max)±30(V)
Maximum Power Dissipation1 W
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-92-3
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance7.5 Ω
Maximum Continuous Drain Current230 mA
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1 W
Id - непрерывный ток утечки230 mA
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V

Техническая документация