Моя заявка (0)

2N7002WT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 310мA, SOT323

2N7002WT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 310мA, SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017970160
Артикул
2N7002WT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вид
MOSFET
Тип
полевой
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Цена по запросу
(от 4,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 310MA SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

ВидMOSFET
Типполевой
Pin Count3
Вес, г0.02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-323
КорпусSOT323
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation330 mW
Typical Gate Charge @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance2.5 Ω
кол-во в упаковке3000
Maximum Continuous Drain Current340 mA
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.31
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация