Моя заявка (0)

2N7002W, Power MOSFET, N Channel, 78 V, 115 mA, 2.53 ohm, SOT-323, Surface Mount

2N7002W, Power MOSFET, N Channel, 78 V, 115 mA, 2.53 ohm, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8527172950
Артикул
2N7002W
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 0,115A 3-контактный SC-70 T/R

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.03
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Корпусsot-323
ConfigurationSingle
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageSC-70
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSOT
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)200
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5.85
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)12.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.115
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)37.8@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7500@5V
Крутизна характеристики, S300 mS
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В78
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.115
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт7002
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.53 Ом

Техническая документация