2N7002W, MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442593
- Артикул
- 2N7002W
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 33,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 0,115A 3-контактный SC-70 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SC-70 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.85 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.115 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 37.8@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7500@5V |
| Крутизна характеристики, S | 300 mS |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 7002 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |