2N7002VA, Mosfet Array 60V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063971026
- Артикул
- 2N7002VA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- 2N7002VA
- Высота
- 0.78 mm
Цена по запросу
(от 137,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Chan Enhancement Mode Field Effect
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | 2N7002VA |
| Высота | 0.78 mm |
| Ширина | 0.88 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 280 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.85 ns |