Dual N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V, 6-Pin SOT-563 2N7002V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025327769
- Артикул
- 2N7002V
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.2mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной МОП-транзистор Enhancement Mode, Fairchild Semiconductor: Полевые транзисторы Enhancement Mode производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью ячеек был разработан для минимизации сопротивления в рабочем состоянии, обеспечения надежной работы и быстрого переключения.
Технические параметры
| Width | 1.2mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-563 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 280 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |