2N7002TQ-7-F, Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002313309
- Артикул
- 2N7002TQ-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- 2N7002T
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 1700 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | 2N7002T |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.115 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |