Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023470402
Артикул
2N7002T
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.03
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
150mW
Особенности
-
Цена по запросу
(от 2,95 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.03
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)150mW
Особенности-
Input Capacitance (Ciss@Vds)50pF@25V
Continuous Drain Current (Id)115mA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)5pF
Крутизна характеристики, S80 mS
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7.5Ω@10V, 500mA