2N7002PW,115, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 240мА, Idm: 1,2А, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024652700
- Артикул
- 2N7002PW,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- PPAP
- Unknown
- Width
- 1.35mm
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 12,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 240мА, Idm: 1,2А, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Width | 1.35mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.2 mm |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-323 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT323 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SC-70 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 260 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.6@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
| Время нарастания | 4 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 310 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.31 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 30@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1600@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 310 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |