2N7002PS,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.42 Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649682
- Артикул
- 2N7002PS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET 2N7002PS,115 от производителя NEXPERIA представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SC88. Этот транзистор имеет ток стока 0,32 А и напряжение сток-исток до 60 В, что делает его отличным выбором для различных электронных схем. Мощность устройства составляет 0,42 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 1 Ом, обеспечивая эффективную работу и минимальные потери. Код товара 2N7002PS115 повторно подтверждает его уникальность и легкость идентификации среди аналогов. Этот транзистор идеально подходит для широкого спектра областей применения, от усилителей до переключающих устройств, благодаря своим выдающимся характеристикам и надежности, гарантированной NEXPERIA. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.32 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.42 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1 Корпус SC88
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.2мм |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Высота | 1мм |
| Ширина | 1.35мм |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934064134115 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Тип канала | N |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Производитель | Nexperia |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Число контактов | 6 |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Материал транзистора | SI |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 0,6 нКл |
| Типичная входная емкость при Vds | 30 пФ при 10 В |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 420 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 3 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 320 мА |
| Типичное время задержки выключения | 10 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1Ω@10V, 500mA |