2N7002P,215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650308
- Артикул
- 2N7002P,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.4mm
- RDS-on
- 1600@10V mOhm
Цена по запросу
(от 2,86 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.4mm |
| RDS-on | 1600@10V mOhm |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Lead Finish | Tin |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot23 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Typical Fall Time | 5 ns |
| Typical Rise Time | 4 ns |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250ВµA |
| Структура | N-МОП |
| Base Product Number | 2N7002 -> |
| Max Processing Temp | 260 |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.4V @ 250uA |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Время нарастания | 4 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 500mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 360mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 420 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 360 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |