Моя заявка (0)
2N7002NXBKR, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070153021
Артикул
2N7002NXBKR
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.02
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
310мВт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 9,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V N-CHANNEL 360MA TRENCH

Технические параметры

Вес, г0.02
Channel TypeN Channel
Power Dissipation310мВт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада2.9 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора1 nC
Время нарастания4.3 ns
Drain Source On State Resistance2.2Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока270мА
Рассеиваемая Мощность310мВт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Pd - рассеивание мощности400 mW
Другие названия товара №934661282215
Id - непрерывный ток утечки270 mA
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения6.9 ns
Типичное время задержки при включении4.7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)2.2Ом

Техническая документация