2N7002L, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000897575
- Артикул
- 2N7002L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор FET 60V 5.0 OHM SOT323
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 4.536 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | 2N7002L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.2 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Power Dissipation | 225мВт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Drain Source On State Resistance | 7.5Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Линейка Продукции | 2N7002L |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.115 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 12.8@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7500@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 115мА |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 115 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 80 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.81 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 7.5Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.115 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5 Ом |