2N7002KW-AU_R1_000A1, null 250mA 3Ohm@500mA,10V 350mW 2.5V@250uA null SOT-323 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030531212
- Артикул
- 2N7002KW-AU_R1_000A1
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Panjit
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 10,24 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 60 В 250 мА (Ta) 350 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-323
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Panjit |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 23 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot-323 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Power Dissipation (Max) | 350mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8 nC @ 5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 s |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3Ом |