2N7002KW, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 310мА, 300мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024654555
- Артикул
- 2N7002KW
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 10,62 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT323 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Крутизна характеристики, S | 80 mS |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |