2N7002KTB_R1_00001, MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018618776
- Артикул
- 2N7002KTB_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Вес, г
- 46.3
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 13,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Вес, г | 46.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | SOT-523-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 125 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 Ohms |