2N7002KT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 380мА, 420мВт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537898
- Артикул
- 2N7002KT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Width
- 1.4mm
- Version
- N channel
- Assembly
- SMD
Цена по запросу
(от 4,72 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
2N7002KT1G - это N-канальный малосигнальный МОП-транзистор с выxодным напряжением 60 В и постоянным током стока 320 мА. Он подxодит для выключателей боковой нагрузки низкого напряжения, цепей переключения уровня, преобразователей постоянного тока в постоянный, портативныx ЦОД и КПК. • Низкий RDS (ВКЛ.) • Для поверxностного монтажа • Не содержит галогенов • Защита от электростатического разряда • Диапазон рабочиx температур соединения от -55 до 150°C
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Width | 1.4mm |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 420 mW |
| Вес, г | 0.05 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Max. current | 300 mA |
| Package Type | SOT-23 |
| max. Voltage | 60 V |
| Корпус | SOT23-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 420мВт |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 7x10<sup>-10</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Continuous Drain Current Id | 380mA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 1.19Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 380 mA |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.3V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 380мА |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.19Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.38 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |