2N7002KT-TP, MOSFETs N-Ch 60Vds 20Vgs 60Vdgr 0.173A 0.15W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030834627
- Артикул
- 2N7002KT-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 19,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-контактный SOT-523 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 0.85(Max) |
| Package Length | 1.7(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-523 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | Trench Power MV |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 31 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 0.88 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.88@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 15.6@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2500@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.173 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |