2N7002KS6-T, MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018627438
- Артикул
- 2N7002KS6-T
- Бренд
- Rectron Semiconductor
- Brand:
- Rectron
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 22,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной N-канальный МОП-транзистор 2N7002KS6 Rectron Двойной N-канальный МОП-транзистор 2N7002KS6 имеет чувствительный ток срабатывания затвора и низкий ток удержания. Этот диод с защитой от электростатического разряда имеет номинальное напряжение 2200 В HBM. Он предназначен для использования в системаx коммутации общего назначения и управления фазами.
Технические параметры
| Brand: | Rectron |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Rectron |
| Package/Case: | SOT363-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 ms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ohms |