2N7002KQ-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,31А, 0,37Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297128
- Артикул
- 2N7002KQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT23
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 9.9 ns
Цена по запросу
(от 27,69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 9.9 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Application | automotive industry |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.31A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT23-3 |
| Power dissipation | 0.37W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 300 pC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 3Ω |
| Drain-source voltage | 60V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 380 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ohms |