Моя заявка (0)

2N7002KDW-TP, Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363

2N7002KDW-TP, Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037991901
Артикул
2N7002KDW-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Case
SOT363
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Version
ESD
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 28,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы микрокомпоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,012 Ом до 8 Ом и высокое напряжение до 800 В. Эти прочные и надежные МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. N-канальные МОП-транзисторы MCC N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.

Технические параметры

CaseSOT363
Brand:Micro Commercial Components(MCC)
VersionESD
MountingSMD
Вес, г0.01
Technology:Si
ManufacturerMICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Polarisationunipolar
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Drain current0.34A
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Package/Case:SOT-363-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Power dissipation0.3W
Product Category:MOSFETs
Type of transistorN-MOSFET x2
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance4Ω
Drain-source voltage60V
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:340 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Крутизна характеристики, S100 mS
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.34
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация