2N7002KDW_R1_00001, МОП-Транзистор 60 В 115 мА 200мВт 3-@10 В, 500 мА 2,5 В @ 250мкА N-канальные МОП-Транзистор SC-70-6(SOT-363)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048524914
- Артикул
- 2N7002KDW_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-035TS
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-035TS |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | PANJIT |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-363 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 800pC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 35pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 115mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.115 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3Ω@10V, 500mA |