Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017577206
Артикул
2N7002KDW
Бренд
MSKSEMI
Type
N Channel
Вес, г
4
Корпус
SOT-363
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 8,40 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 300 мА 900 Мом при 10 В, 500 мА 150 МВт 1.3V@1mA N-канальные МОП-транзисторы SOT-363 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г4
КорпусSOT-363
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)350mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)800pC@5V
Drain Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss@Vds)35pF@25V
Continuous Drain Current (Id)250mA
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@500mA, 10V
Крутизна характеристики, S100 mS
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3Ω@500mA, 10V