2N7002KD, 60V 340mA 900m-@10V,500mA 150mW 2.5V@250uA 10pF@10V 2 N-Channel 40pF@10V +150-@(Tj) SOT-363 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015847869
- Артикул
- 2N7002KD
- Бренд
- FUXINSEMI
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-363
- Структура
- 2 N-Channel
Цена по запросу
(от 3,64 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 340 мА 900 Мом при 10 В, 500 мА 150 МВт 2.5V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOT-363 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-363 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 800pC@5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 35pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3Ω@500mA, 10V |